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IRFH5406PbF
1000
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100
T J = 150°C
100
100 μ sec
10
10
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
1
0.1
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.10
1
10
100
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
45
40
35
30
25
20
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
15
10
5
0
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 1.0A
ID = 1.0mA
ID = 250 μ A
ID = 50 μ A
25
50
75
100
125
150
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T C , Case Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case (Bottom) Temperature
10
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage Vs. Temperature
1
0.1
D = 0.50
0.20
0.10
0.02
0.01
0.05
0.01
0.001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (Bottom)
4
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
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December 16, 2013
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